GlobalFoundries на заметку: пластины FDSOI могут использовать напряжённый кремний

admin 20 Дек, 2015 08:05 ДП | Категория Все новости, Технологии | Нет комментариев

Лет десять назад в новостях о процессорах AMD часто мелькало упоминание о напряжённом или растянутом кремнии.

Создание зон напряжения в кристаллической решётке повышало мобильность электронов, что вело к возможности увеличить токи через транзистор и открывало путь к повышению быстродействия или к снижению потребления. Подобную технологию изначально разрабатывала компания IBM и клуб участников её альянса. Компания AMD тогда самостоятельно выпускала процессоры и получала технологии производства от компании IBM, пишут Новости ИТ

В современном производстве полупроводников напряжённый кремний по-прежнему используется. Данную технологию также можно использовать в случае выпуска чипов на подложках из полностью обеднённого кремния типа FDSOI. Использование FDSOI обещает стать разумной по цене альтернативой 16/14-нм техпроцессам с FinFET транзисторами. Микросхемы на пластинах FDSOI с использованием одинакового по нормам техпроцесса будут чуть быстрее и чуть энергоэффективнее по сравнению с микросхемами на обычных кремниевых монолитных пластинах и хоть как-то приблизятся по параметрам к микросхемам с меньшими нормами техпроцесса. Таковые собираются выпускать компании STMicroelectronics и GlobalFoundries. Вполне вероятно, что оба производителя смогут воспользоваться новейшими технологиями по созданию зон напряжённости в слое FDSOI.

Технологию создания зон напряжённости в FDSOI предложила французская организация Leti. Для создания перехода p-типа создаётся зона сжатия, для чего используется германиево-кремниевый канал, а для создания n-канала создаётся зона растяжения кристаллической решётки. Сила сжатия в канале, как определили в ходе экспериментов, достигает 1,6 ГПа (гигапаскаль). Каналы n-типа, как сообщается, делать проще, для чего достаточно заданных режимов обжига. Теоретически с помощью обжига можно также делать каналы p-типа, но они будут не такими эффективными. Что касается эффективности, то SiGe-канал со сжатием обещает увеличить подвижность электронов более чем 20%. Это отличный показатель, за который не придётся платить сменой масштаба техпроцесса. Впрочем, для 28-нм FDSOI данные технологии не оправданы. По словам разработчиков, зоны напряжённости имеет смысл вводить для техпроцессов 20/22 нм.

Источник: overclockers.ru

Похожие новости:

Автор: admin

Добавить комментарий


Яндекс.Метрика Украина онлайн
© 2012-2017 copyright Новости ИТ