HGST расскажет о достижениях в разработке памяти с изменяемым фазовым состоянием

admin 11 Авг, 2015 05:19 ПП | Категория Технологии | Нет комментариев

Компания HGST на мероприятии Flash Memory Summit 2015 в Санта-Кларе (Калифорния, США) продемонстрирует передовые накопители на основе памяти с изменяемым фазовым состоянием — Phase Change Memory, или PCM.

Принцип работы РСМ основан на уникальном поведении халькогенида, который при нагреве может «переключаться» между двумя состояниями: кристаллическим и аморфным. При изменении состояния происходит переключение между логическим нулём и единицей, пишут Новости ИТ

Важно отметить, что память с изменяемым фазовым состоянием является энергонезависимой, то есть способна хранить информацию в отсутствии питания. Этим она схожа с флеш-памятью. Однако по сравнению с последней достигается многократное увеличение быстродействия, что приближает РСМ к DRAM.

В прошлом году компания HGST демонстрировала накопители PCIe SSD на основе РСМ-памяти. Такие устройства обеспечивают показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) до 3 млн при чтении данных блоками по 512 байт. Очевидно, новые накопители HGST поднимут планку ещё выше.

Ожидается, что массовое внедрение устройств хранения информации на базе памяти с изменяемым фазовым состоянием значительно снизит затраты дата-центров на электроэнергию, одновременно позволив поднять производительность.

Источник: 3dnews.ru

Похожие новости:

Автор: admin

Добавить комментарий


Яндекс.Метрика Украина онлайн
© 2012-2017 copyright Новости ИТ