IBM и Samsung сообщили о разработке 11-нм памяти STT MRAM

Вчера компания IBM отметила 20-летний юбилей в разработке такого энергонезависимого метода записи, как магниторезистивная память с произвольным доступом (MRAM).

Начиналось всё с управления ячейкой с помощью электромагнитного поля, а вылилось в создание ячейки с записью с помощью передачи момента вращения спина электроном — STT MRAM (spin-transfer torque MRAM). За это время с IBM сотрудничало много компаний. Первые опыты начинались с компанией Motorola. Потом были Infineon, TDK, Micron и кто-то ещё. К финалу разработки исследователи IBM подошли вместе с инженерами компании Samsung, и 20-летний юбилей отмечается на этапе, близком к подготовке разработки к коммерческому запуску, пишут Новости ИТ

Завершение перевода производства памяти STT MRAM на коммерческие рельсы ожидается через три года. Сейчас запущены процессы оптимизации используемых материалов и другие инженерные мелочи. Решающим достижением стал перевод структуры ячейки из горизонтальной на вертикальную, с чем, возможно, помогла компания Samsung, как безусловный лидер в разработке многослойной памяти 3D NAND. Опытный образец памяти STT MRAM имеет ячейку с диаметром рабочей части 11 нм и на первом этапе будет производиться с использованием 10-нм техпроцесса.

Изучение характеристик опытной памяти позволяет говорить о превосходных скоростных параметрах на уровне скорости доступа порядка 10 нс. Это намного ближе к работе памяти DRAM, чем NAND-флэш. Оперативную память в целом энергонезависимая память STT MRAM не заменит, но в качестве встраиваемой памяти, как решение почти с бесконечным ресурсом на перезапись — это будет прорывом. К тому же, запись ячейки с помощью передачи момента вращения электроном оказывается экономичной по потреблению, потребляя на запись около 7,5 мкА.

Ячейка памяти STT MRAM компаний IBM и Samsung представляет собой вертикальную композитную структуру из зоны с постоянной намагниченностью, туннельного перехода и зоны с изменяемой намагниченностью. В зависимости от направления магнитного поля зоны с переменной намагниченностью ячейка будет хранить “0″ или “1″. Запись значения, как уже сказано выше, происходит с помощью эффекта туннельного перехода электрона с переносом спина в зону с переменной намагниченностью. Добавим, память STT MRAM разрабатывают также другие компании, в частности — компания Toshiba. Так что не факт, что IBM и Samsung первыми приступят к коммерческому выпуску STT MRAM.

Источник: overclockers.ru

Похожие новости:

Автор: admin

Добавить комментарий


Яндекс.Метрика Украина онлайн
© 2012-2017 copyright Новости ИТ