Intel и Micron изобрели ReRAM: встречаем память 3D XPoint

Компании Intel и Micron вчера вечером с необычной помпой представили новый и революционный вид энергонезависимой памяти 3D XPoint (XPoint произносится как cross-point или пересечение, узел).

По словам разработчиков — это самое великое изобретение в отрасли со времён разработки NAND-флэш. Новая энергонезависимая память 3D XPoint в 1000 раз быстрее NAND-флэш, в 1000 раз устойчивее к износу и в 10 раз плотнее DRAM. Короче, теперь заживём, пишут Новости ИТ

Опытные образцы памяти 3D XPoint начнут выпускаться чуть позже в текущем году. Первые продукты на основе новой памяти Intel и Micron начнут выходить уже в 2016 году. Первое поколение памяти 3D XPoint выпускается в виде 128-Гбит микросхем с двухуровневой структурой, где каждый слой имеет ёмкость 64 Гбит. Техпроцесс не уточняется. Производство будет налажено на 300-мм заводе Micron в штате Юта, который, как считается, относится к совместному с Intel предприятию IM Flash Technologies. По мере развития технологии в микросхемы 3D XPoint можно будет добавлять новые слои и заметно наращивать объём решений без значительного увеличения себестоимости.

Разработчики признают, что память 3D XPoint относится к резистивной памяти — ReRAM. Однако держат в тайне механизм переключения узла. Наиболее распространенный метод работы ячейки такой памяти заключается в том, что в объёме ячейки памяти под воздействием управляющих напряжений происходит насыщение ионами действующего вещества и возникают устойчивые токопроводящие нити (например, из ионов меди или серебра). Особая фишка этого метода заключается в том, что насыщение может иметь разную плотность и, соответственно, может создать в ячейке разное сопротивление. Фактически — записать значительно больше одного бита данных. Компании Intel и Micron пока представили память с записью одного бита данных.

Если верить авторам сайта EE Times, в Intel заявили об иной, а не “нитевидной” структуре переключения в ячейках 3D XPoint. В компании пока скрывают механизм работы новой памяти, но он может относиться к другом механизму переключения — CeRAM (Correlated Electron RAM). Как бы там ни было, компании Intel и Micron с высокой вероятность помогут начать выпуск энергонезависимой памяти нового типа. Это будет хорошим стимулом для конкурентов. Быть может даже появится мифический мемристор компании HP.

Источник: overclockers.ru

Похожие новости:

Автор: admin

Добавить комментарий


Яндекс.Метрика Украина онлайн
© 2012-2017 copyright Новости ИТ