Разработчики показали кремниевую фотонику с внешней “накачкой”

Громче всех о “кремниевой фотонике” говорят компании Intel и IBM. Они добились определённых успехов на пути интеграции в “процессоры” оптических цепей или их элементов: приёмников, передатчиков и даже лазеров.

Последнее наиболее сложно. Источник света в составе сложной микросхемы требует не только специфических материалов и техпроцессов, отличных от традиционных для CMOS-процесса, но также сложен в эксплуатации — риск перегрева и прочее. Вполне возможно, что на первых порах в кремниевой фотонике распространение может получить метод, когда используется внешний лазер, пишут Новости ИТ

Так, группа учёных из университетов Калифорнии, Беркли, Колорадо и МИТ опубликовали в Nature статью, в которой рассказали о создании двух SoC, связанных оптическими цепями. Для подсветки встроенных в чип оптических трансиверов — по 850 штук в каждой микросхеме — используется внешний лазер. Для связи между чипами всего три оптических канала: приём, передача и подсветка. Каждый чип содержит также по два ядра RISC-V и по 1 МБ памяти (всего по 70 млн. транзисторов). В ходе эксперимента одна из микросхем задействовала для вычислений собственные ядра и “соседнюю” память. Скорости оптического канала оказалось достаточно, чтобы две микросхемы работали без простоев и ошибок.

Проведённый эксперимент выявил также узкие места в проекте. Уход рабочей температуры на один градус Цельсия сразу вёл к появлению ошибок в каналах связи. Тем не менее, разработчики доказали возможность выпускать на традиционном оборудовании чипы с оптическими каналами связи. Это может приблизить момент коммерческого появления решений со сверхскоростным оптическим межчиповым интерфейсом.

Источник: overclockers.ru

Похожие новости:

Автор: admin

Добавить комментарий


Яндекс.Метрика Украина онлайн
© 2012-2017 copyright Новости ИТ