RRAM-память со слоями графена стала более быстрой и ёмкой

admin 15 Авг, 2015 02:20 ПП | Категория Технологии | Нет комментариев

В последнее время самым модным трендом в отрасли памяти является 3D-технология, позволяющая в компактном формате уместить ещё больше данных и при этом добиться высокой производительности.

Последним ярким примером является выпуск компанией Samsung чипов 3D V-NAND, которые обладают ёмкостью 256 Гбит, что позволило создать 16-Тбайт SSD. Но исследователи продолжают искать новые способы улучшить накопители. Команда профессора Джеймса Тура (James Tour) из Университета Райса объединила инновационную архитектуру, техпроцесс, способный протекать при комнатной температуре, и высокоплотный резистивный 3D-стек материалов для создания энергонезависимой памяти RRAM, пишут Новости ИТ

Как отмечают разработчики, предложенное устройство опережает конкурентные решения по производительности и ёмкости. Ключевым в новинке является специальная структура, которая обеспечивает сверхмалые токи утечки. При этом появляется возможность создавать массивы ёмкостью до 162 Гбит (или около 20 Гбайт). Многослойный стек включает металлический контакт (платиновый в прототипе) поверх изолирующего слоя двуокиси кремния, который, в свою очередь, ложится на стандартную кремниевую пластину. Сам металлический контакт покрывается чистым танталом с нанопористым слоем окиси тантала поверх него. Ещё десять атомарных слоёв графена (так называемый многослойный графен, MLG) ложатся сверху окиси тантала, а завершает этот стек ещё один металлический электрод (платиновый, но исследователи говорят, что возможны эксперименты с разными металлами).

Согласно разработчикам, на пути к коммерциализации лежат ещё два серьёзных барьера. Во-первых, исследователям предстоит научиться управлять размерами наночастиц. Кроме того, необходимо разработать приемлемый по эффективности производственный метод для создания столь плотного массива памяти.

Источник: 3dnews.ru

Похожие новости:

Автор: admin

Добавить комментарий


Яндекс.Метрика Украина онлайн
© 2012-2017 copyright Новости ИТ