Samsung начала массовое производство 4-Гбайт микросхем HBM «второго поколения»

admin 19 Янв, 2016 12:31 ПП | Категория Все новости, Технологии | Нет комментариев

Официальным пресс-релизом южнокорейская компания Samsung сообщила о начале производства наибыстрейшей памяти типа DRAM — чипов в стандарте HBM по обновлённым спецификациям.

Неофициально обновлённую память HBM называют HBM2. Но с точки зрения спецификаций JEDEC — это тоже память HBM, что может быть важно для прочтения слайдов с планами компаний AMD или NVIDIA. Строго говоря — памяти HBM2 не существует, пишут Новости ИТ

Итак, Samsung. Компания приступила к выпуску четырёхслойных (плюс слой контроллера) микросхем памяти HBM ёмкостью 4 Гбайт по улучшенным спецификациям. Это означает, что общая скорость обмена с чипом HBM выросла в два раза — до 256 Гбайт/с. Это в семь раз больше, чем может выдать современная память типа GDDR5 объёмом 4 Гбит со скоростью 9 Гбит/с на контакт (36 Гбайт/с). Поскольку скорость обмена в пересчёте на контакт HBM меньше — 2 Гбит/с, энергоэффективность новых микросхем HBM в терминах отношения пропускной способности на ватт значительно выше.

Компания SK Hynix, напомним, в настоящий момент серийно выпускает только 1-Гбайт микросхемы HBM со скоростью обмена 128 Гбайт/с. Компания Samsung готова предложить микросхемы HBM с вчетверо большей ёмкостью. Как видим, видеокарты с использованием памяти HBM на основе новых спецификаций на подложке с графическим процессором могут разместить 16 Гбайт памяти. Также нетрудно подсчитать, что микросхемы Samsung состоят из четырёх 8-Гбит кристаллов. В течение года компания обещает приступить к производству 8-Гбайт микросхем HBM с улучшенными спецификациями. Очевидно, речь будет идти о восьмислойных микросхемах с использованием 8-Гбит слоёв.

Источник: overclockers.ru

Похожие новости:

Автор: admin

Добавить комментарий


Яндекс.Метрика Украина онлайн
© 2012-2017 copyright Новости ИТ