TSMC приступила к разработке 5-нм техпроцесса

На конференции в Синьчжу, где недавно собрались представители бизнеса, связанного с поставками полупроводников и решений, генеральный директор компании TSMC сообщил о старте разработки 5-нм техпроцесса.

Крупнейший в мире контрактный производитель полупроводников собирается опережающими темпами разрабатывать новые техпроцессы. В следующем году компания TSMC обещает опередить компанию Intel и в дальнейшем держать её позади себя. Уже заявлено, что до конца 2016 года TSMC приступит к массовому выпуску 10-нм решений, а в 2017 году приступит к опытному производству 7-нм чипов. С учётом подобного графика разработка 5-нм техпроцесса становится актуальным пунктом плана развития, пишут Новости ИТ

В то же время нельзя сказать, что всё идёт строго по плану. Замедление вывода на рынок промышленных EUV-сканеров с диной волны 13,5 нм ощутимо увеличит себестоимость продукции с нормами 7-нм и меньше. Для изготовления 10-нм элемента с помощью иммерсионной литографии и 193-нм сканеров потребуются по три фотошаблона на каждый слой. С сохранением 193-нм оборудования для производства 7-нм элемента необходимо будет уже по четыре фотошаблона на каждый металлический слой и по три фотошаблона на отверстия металлизации. Использование EUV-сканеров помогло бы уменьшить число шаблонов и, соответственно, число обработок каждого слоя. Но у компании TSMC нет уверенности в появлении достаточно производительных EUV-сканеров в 2016 и 2017 году.

Ранний старт работ над 5-нм техпроцессом косвенно подтверждает, что 193-нм сканеры вновь будут адаптированы под очередной техпроцесс. Теоретически и практически это возможно. Как компромиссный вариант медленные сканеры EUV-диапазона могут использоваться для проекции критически важных слоёв или в комбинации с проходом 193-нм сканерами. Например, 193-нм сканер за четыре прохода может изготавливать элементы и разводку, а EUV-сканер за один проход “нарисует” отверстия под сквозную металлизацию. Всё это пока “вилами по воде”. Но сидеть и ждать у моря погоды — появления EUV-сканеров ASML с достаточно мощными источниками излучения (200-250 Вт) — тоже не вариант. Если они не появятся в срок, можно упустить инициативу.

Источник: overclockers.ru

Похожие новости:

Автор: admin

Добавить комментарий


Яндекс.Метрика Украина онлайн
© 2012-2017 copyright Новости ИТ