В Galaxy S5 будет установлена новая память LPDDR4 емкостью 8 гигабайт

Валерий 31 Дек, 2013 01:51 ПП | Категория IT технологии, Гаджеты | 1 Комментарий

В Galaxy S5 будет установлена новая память LPDDR4 емкостью 8 гигабайт

Новые модули мобильной оперативной памяти от Samsung уже доступны для промышленного производства, пишут Новости ИТ.

Samsung представила первый в мире модуль оперативной памяти для мобильных устройств емкостью 8 гигабайт. Компания уверяет, что с его помощью удастся не только увеличить производительность смартфонов и планшетов, но и сэкономить заряд аккумуляторной батареи.

Согласно с информацией из пресс-релиза, новые низковольтные модули оперативной памяти LPDDR4 (double data rate 4) заменят последнее поколение модулей LPDDR3 уже в 2014 году.

В Samsung говорят, что следующее поколение оперативной памяти разработано с прицелом на смартфоны, планшеты и ультратонкие ноутбуки с большими экранами и высоким разрешением (включая устройства с разрешением экрана 4К).

Корейские медиаресурсы уже сегодня заявляют в один голос, что Galaxy S5 станет первым устройством, в котором будет установлено новое поколение памяти.

Следующий шаг

Как ожидается, Galaxy S5 появится в продаже уже в начале 2014 года и будет оснащен 64-битным процессором.

Появление 64-битных телефонов может стать ключевым событием (iPhone 5S стал первым таким устройством), которое позволит создавать мобильные устройства с доступом к объемам оперативной памяти больше 4 гигабайт. Очевидно, что появление нового поколения памяти Samsung LPDDR4 будет очень кстати.

«Следующее поколение памяти LPDDR4 DRAM внесет большой вклад в рост глобального рынка мобильной памяти. Очень скоро этот вид памяти займет наибольшую долю рынка DRAM», – сказал на презентации вице-президент Samsung по продажам и маркетингу модулей памяти, Йен-Хен Джун.

«Мы будем продолжать разработку перспективных модулей памяти DRAM для мобильного рынка, опережая все остальные сегменты ИТ-промышленности. Что позволит создавать мировым производителям самые инновационные мобильные устройства с исключительным удобством для пользователей», – продолжил Йен-Хен.

Высокая производительность

При производстве новых модулей LPDDR4 будет использован 20-нанометровый технологический процесс, что позволит компоновать в один чип 1 гигабайт памяти. Samsung утверждает, что это самая высокая плотность памяти, доступная для модулей DRAM.

Кроме того, LPDDR4 позволяет удвоить скорость передачи данных через один пин (контакт) модуля памяти и поднимает общую производительность на 50 процентов по сравнению с LPDDR3. При этом расход заряда батарей может быть сокращен на 40 процентов.

Samsung обещает, что новая память «обеспечит более быструю и отзывчивую работу приложений, широкие функциональные возможности, а также более высокие разрешения дисплеев, одновременно увеличив время автономной работы мобильных устройств».

Источник: www.techradar.com


Похожие новости:

Автор: Валерий

Комментарии:

Отобразить 1 Комментарий
Ваше мнение
  1. Серж пишет:

    Молодцы!! Жду появление такой памяти в iOS устройствах)

Добавить комментарий


Яндекс.Метрика Украина онлайн
© 2012-2017 copyright Новости ИТ